蚀刻工艺相对落后3DNAND层或迈向“串堆叠”时代
在减少3DNAND层时,仅次于的难题就是要解决芯片生产流程中对长方形比的容许,否则层数将一直无法获得突破。串填充技术则需要协助我们有效地解决问题这一长方形比难题。
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本文摘要:在减少3DNAND层时,仅次于的难题就是要解决芯片生产流程中对长方形比的容许,否则层数将一直无法获得突破。串填充技术则需要协助我们有效地解决问题这一长方形比难题。

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在减少3DNAND层时,仅次于的难题就是要解决芯片生产流程中对长方形比的容许,否则层数将一直无法获得突破。串填充技术则需要协助我们有效地解决问题这一长方形比难题。


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